次世代パワーデバイス量産に向けた基盤技術を確立

2025/05/20

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—次世代パワーデバイス量産に向けた基盤技術を確立—

尾沼猛儀 教授(応用物理学科)が参画し、東京農工大学がリードする研究グループは、独自の減圧ホットウォール有機金属気相成長(MOVPE)法を用いることで、高精度にn型キャリア密度を制御したβ型酸化ガリウム結晶の高速成長技術を開発しました。β-Ga2O3は電力制御・変換の高効率化を実現する次世代パワーデバイス用の半導体材料として注目されています。
この成果は、英文学術誌Applied Physics Express(略称APEX)誌に5月20日付でオンライン公開されました。

 
成長炉構造の断面模式図

■ポイント

・電力変換時のロスを抑え、一層の省エネルギー化を促進するパワーデバイス量産に必須となるホモエピタキシャルウェハ量産の基盤技術が確立した。
・減圧ホットウォールMOVPE法において、安全なSiドーピングガスとしてテトラメチルシランを適用し、高精度n型ドーピング技術を確立した。


詳細は、下記プレスリリースをご覧ください。

【プレスリリース】β型酸化ガリウム結晶の高精度n型ドーピング技術を 独自の有機金属気相成長法で実現 ~ 次世代パワーデバイス量産に向けた基盤技術を確立 ~
英文学術誌Applied Physics Express誌 掲載ページ
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