2023年10月19-20日に南台科技大学(台湾)で開催された国際学会The 22nd International Symposium on Advanced Technology (ISAT-22)において、電気・電子工学専攻1年の林佑哉さん(結晶成長研究室・山口智広教授)がStudent's Poster Presentation Excellent Awardを受賞しました。

研究題目：
Fabrication of top-down and bottom-up MOSFET using α-In2O3 films grown by Mist CVD

林さんの今回の発表では、Mist CVD法で成長したα-Al2O3上In2O3膜を用いた、Top-DownアプローチとBottom-upアプローチによるMOSFETデバイスを製作し、Top-DownアプローチでのMOSFET動作の報告とBottom-upアプローチとの比較からMOSFETデバイスの電気的特性についての議論を行いました。