2026年8月21日に慶應義塾大学で開催された第16回電気学会東京支部学生発表会において、工学部電気電子工学科4年の池田琉晟さんと永山拓也さん(高機能デバイス研究室・相川慎也教授)が優秀発表賞を受賞しました。
池田琉晟さん
研究題目:CaF2基板SnO(110)エピタキシャル成長に向けたスパッタ成膜条件の検討
永山拓也さん
研究題目:再成長法により優先成長させたIn2O3極性(100)面チャネルTFT型CO2ガスセンサー
受賞コメント
池田琉晟さん
このたびは、電気学会優秀発表賞を賜り、誠にありがとうございます。大変光栄に存じます。
本研究を進めるにあたり、基板を再利用するためにSnO薄膜を取り除く必要があり、基板にダメージを与えないエッチング条件を細かく模索・調整した点が特に苦労した部分でした。その中で熱心にご指導いただいた相川先生をはじめ、研究活動や発表練習において親身にご支援いただいた先輩方に、心より感謝申し上げます。
今回の受賞を励みとし、p型酸化物半導体の性能向上に寄与できるよう、今後も研究活動に真摯に取り組んでまいります。
永山拓也さん
このたびは、電気学会優秀発表賞を賜り、誠にありがとうございます。
研究テーマの推進や発表内容の推敲において熱心にご指導いただいた相川先生をはじめ、考察をともに深め、お忙しいなか発表練習の場を設けてくださった研究室の先輩方に、心より感謝申し上げます。
今回の受賞を励みとし、今後もガスセンサーデバイスの性能向上に寄与できるよう、日々研究に邁進してまいります。

